Samsung Electronics stellt hochleistungsfähigen 3bit NAND Flash Memory Speicher mit 128Gigabyte für den Mobilgerät-Massenmarkt vor (FOTO)

Seoul, Korea (ots) -

Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer im Bereich innovative
Speichertechnologie, stellt einen hochleistungsfähigen
Mobile-Memory-Speicher in Embedded-MultimediaCard-5.0-Technologie
(eMMC) vor. Das neue 3bit eMMC NAND Flash Memory verfügt über eine
Speicherkapazität von 128Gigabyte (GB) und wurde speziell für die
Smartphone- und Tablet-Massenmärkte entwickelt.

"Durch die Markteinführung unseres auf hohen Nutzen fokusierten
3bit NAND-basierten eMMC 5.0-Produktangebots möchten wir die
Führungsposition im Bereich Mobile Memory mit hoher Speicherkapazität
einnehmen", sagt Dr. Jung-Bae Lee, Senior Vice President of Memory
Product Planning und Application Engineering Team, Samsung
Electronics. "Wir arbeiten kontinuierlich am weiteren Ausbau unseres
Angebots an Embedded Mobile Memory der nächsten Generation. Mit noch
leistungsfähigeren Produkten, die eine noch höhere Speicherdichte
aufweisen, möchten wir die Nachfrage der Kunden in der gesamten
Mobilgerätebranche erfüllen."

Während sich bei Smartphone-Spitzenmodellen eine Entwicklung hin
zu Geräten mit Speicherkapazitäten von 128GB und auf der Basis von
Universal Flash Storage 2.0 (UFS) oder eMMC 5.1 Standards abzeichnet,
wird man künftig auch bei Mittelklasse-Smartphones die
Speicherkapazität auf 128GB anheben können. Samsungs neues 3bit 128GB
eMMC 5.0 Memory beschleunigt diesen Übergang als eMMC-5.0-Lösung mit
der branchenweit höchsten Speicherdichte.

Das neue 128GB Memory mit eMMC 5.0 erreicht 260Megabyte/Sekunde
(MB/s) beim sequenziellen Lesen von Daten. Dies ist die gleiche
Leistungsfähigkeit wie sie auch das MLC NAND-basierte eMMC 5.1 Memory
erreicht. Für wahlfreie Lese- und Schreib-Operationen sind bis zu
6.000 IOPS (Input/Output Operations per Second) bzw. 5.000 IOPS
spezifiziert. Diese IOPS-Geschwindigkeiten sind ausreichend für die
Verarbeitung von High-Definition-Video und für innovative
Multitasking-Funktionen. Gegenüber einer typischen externen
Speicherkarte sind diese IOPS-Geschwindigkeiten vier bzw. zehn Mal
höher.

Mit seinem neuen 3bit-eMMC-5.0-Angebot hat Samsung sein 3-bit NAND
Business von SSDs für Rechenzentren, Server und PCs auf den gesamten
Memory-Markt ausgedehnt. Samsung wird auch weiterhin den Einsatz von
3bit NAND Flash Memory vorantreiben und zu diesem Zweck noch
leistungsstärkere Lösungen mit noch größerem Speichervolumen
entwickeln sowie die Wettbewerbsfähigkeit seines Memory Business
stärken.

Über Samsung Electronics

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dem Streben, immer wieder Neues zu entdecken, verändern wir die Welt
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Halbleitern und LED-Lösungen. Unsere Initiativen, unter anderem in
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